SI3493DV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI3493DV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI3493DV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 5.3 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.027 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.1 W Part # Aliases: SI3493DV-GE3
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3493DV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 187,53 KB