2N6758TXV
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
2N6758TXV datasheet
-
Маркировка2N6758TXV
-
ПроизводительIntersil
-
ОписаниеIntersil 2N6758TXV Package Shape: ROUND Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: PIN/PEG Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 2 Package Body Material: METAL Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 9 A DS Breakdown Voltage-Min: 200 V Drain-source On Resistance-Max: 0.4000 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 15 A
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024